第一组：前期在玻璃基底上镀Si薄膜，功率为220W，10min。XRD测试发现在24°附近出现馒头峰，查阅文献得到，该峰型为非晶硅；且文献中提及在600℃退火处理后非晶硅出现晶化的过程，逐渐呈现出多晶硅的峰型，因XRD故障未进行退火样品测试。

实验结果：进行膜厚测试，发现所镀Si薄膜的膜厚跟所镀时间不成正比关系。（膜厚仪进行多次校准，且所镀膜厚重复性较好），拟将厚度为20、40、160nm的样品寄回客户检测，确定所镀厚度及膜层峰型。

参考文献：1、摘自《非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析》

2、摘自《基于射频磁控溅射技术高容量硅负极薄膜材料可控制备研究》

特别声明：

1. 以上所有实验仅为初步探究，仅供参考。由于我们水平有限，错误疏漏之处欢迎指出，我们非常期待您的建议。

2. 欢迎您提出其他实验思路，我们来验证。

3. 以上实验案例及数据只针对科晶设备，不具有普遍性。

4. 因为涉及保密问题，以上数据仅为部分数据，欢迎老师与我们联系，我们非常期待和您共同探讨设备的应用技术。