- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
InP晶体基片
- 产品概述:
- InP非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管(HBT)等方面。InP基器件在毫米波、通讯、防撞系统、图像传感器等领域有广泛应用
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
|
磷化铟(InP)晶体基片 |
技术参数
|
晶体结构: | 立方晶系 | 晶格常数: | a =5.4505 Å | 掺杂: | None;Sn;S;Fe:Zn | 密度: | 4.81g/cm3 | 硬度: | 3 Mohs | 导电类型: | N;N;N;Si;P | 折射率: | 3.45 | 载流子浓度: | 1-2x1016 1-3x1018 1-4x1018 .6-4x1018 | 位错密度: | <5x104 cm-2 | 生长方法: | LEC | 熔点: | 1062℃ | 弹性模量: | 7.1E11dyn cm-2 |
|
产品规格
|
常规晶向: | <100> <111> | 常规尺寸: | 2"x0.5mm 10x10x0.5mm | 抛光情况: | 单抛 | 表面粗糙度: | <15A | 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
|
晶体缺陷
|
人工金属单晶存在常见晶体缺陷,表面可能会有小黑点,微小气泡等 |
标准包装
|
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。