- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
可自动扫描等离子表面处理仪
- 型号:
- GSL-1100XPJF-A
- 产品概述:
- GSL-1100X-PJF-A是等离子枪和可控制的样品台结合在一起的产品,有自动控制的样品台,就可使等离子枪按设定程序对样品表面进行更均匀涂覆和处理,保证处理样品表面的一致性和均匀性。此系统是由RF发生器、气体传输管、等离子枪头和X-Y移动的工作台(带有真空吸盘和控制盒)。此系统产生等离子束可在非真空和低温状态下活化和清洗样品表面,可处理的样品有单晶片,光学元件和塑料等,也可在常压下进行等离子增强气相沉积。
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
视频
|
操作视频 |
主要参数
|
·工作环境:温度 < 42°C,湿度 ≤ 40℃RH ·输入电源:208 V- 240VAC, 50Hz, < 1000W ·等离子体工作压力 |
RF发生器
|
· 输出频率:20-23kHz , 25KV ·等离子枪头:仪器中包括两种等离子枪头:圆形头:10-12mm,矩形头:15-18mm |
输入气体气压,工作气体
|
·40 PSI min.(0.055 Mpa) ·Air, N2, Ar, He 或混合气体(不可通入易燃易爆气体 ) |
样品台和控制柜
|
·配有可在X-Y轴移动的样品台,通过步进电机驱动,采用SBC控制盒控制 ·可手动调节样品台在Z轴方向上的移动距离 ·控制盒采用LCD显示,可设置其等离子枪头的扫描程序。 ·最大扫描范围:8" x 9" ·一个直径为4"的真空吸盘安装在X-Y样品台上,可吸住直径为6"的样品。 ·配有一真空泵,可与真空吸盘相连接 ·整个系统安装在一移动架上(600x600x 800Lmm) ·可选:可选加热样品台(最高温度可加热到500℃),也可将设备放置在手套箱中操作。 |
外形尺寸
|
·处理样品台尺寸:560mm L x483mm W x 609mm H ·等离子源尺寸: 406mm L x 508mm W x 230mm H ·控制盒尺寸:330mm L x 305mm W x 152mm H |
净重
|
·55kg |
认证
|
若客户出认证费用,本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证。
|
质保期
|
一年保修,终身技术支持。 特别提示:1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩埚等不包含在内。2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 点击查看售后服务承诺书 |
文献
|
·请点击链接以了解更多关于AP-PECVD应用的信息:常压等离子体增强化学气相沉积(AP-PE-CVD)用于在低温下生长薄膜。
|
相关产品
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。