- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
BGO晶体
- 产品概述：
- 锗酸铋（Bi4Ge3O12简称BGO）是一种具有立方结构、无色透明的无机氧化物晶体，它不溶于水，在高能粒子或高能射线（x-射线、γ-射线）激发下能发出峰值为480nm波长的绿色荧光。BGO晶体具有强阻止射线能力、高闪烁效率、优良的能量分辨率及不潮解等优点，所以是一种优良的闪烁体，广泛应用于高能物理、核物理、空间物理、核医学、地质勘察和其它工业领域。
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 产品名称
|
锗酸铋(Bi4Ge3O12)晶体基片
|
| 技术参数
|
晶体结构： | 立方晶系 | 晶格常数： | a=10.518Å | 纯度： | >99.99％ | 密度： | 7.12g/cm3 | 硬度： | 5( mohs) | 熔点： | 1050 ℃ | 透过范围： | 350~5500nm | 电光系数 ： | r41=1.03x10-12m/V | 折射率： | 2.098@ 632.8nm | 激发光谱： | 305nm | 临界能量： | 10.5Mev | 能量分辨率： | 20%511 keV @ | 生长方法： | 提拉法 |
|
| 产品规格
|
常规晶向： | （100） | 晶向公差： | ±0.5°内 | 常规尺寸： | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm | 抛光情况： | 单抛、双抛 | 抛光面粗糙度： | Ra<5A |
注：可按照客户要求加工尺寸和晶向。
|
| 晶体缺陷
|
人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。
|
| 标准包装
|
1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
|
免责声明：
本站产品介绍内容（包括产品图片、产品描述、技术参数等）仅用于宣传用途，仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差，请勿复制或者截图。如果您对参数有异议，或者想了解产品详细信息及更多参数，请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺，请勿将此参数用于招标文件或者合同，科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息，恕不另行通知，请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档，说明书（在线阅览），装箱单，与售后安装条件等文件，请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户，购买前请与工作人员沟通，以免给您带来不便。
查看诚信档案
皖公网安备 34012302000974号
