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Ga:ZnO晶体
- 产品概述:
- 新一代宽禁带,直接带隙的多功能 II-V 族半导体材料,具有优秀的光电、压电、气敏、压敏等特性
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
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Ga:ZnO晶体基片 |
技术参数
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晶体结构: | 六方晶系 | 晶格常数: | a= 3.252 Å , c = 5.313 Å | 熔点: | 1975℃ | 硬度: | 4 Mohs | 密度: | ~5.7 g/cm3 | 带隙: | 3.37eV | 介电常数 | 8.5 | 比热容: | 0.125 cal/gm | 导电性: | N type | 导热系数: | 0.006 cal/cm/ oK | 热膨胀系数: | 2.90 x 10-6/oK | 位错密度: | < 4 x 104 /cm2 |
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产品规格
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常规晶向: | (0001) | 常规尺寸: | 5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm | 表面粗糙度: | <5A | 注:尺寸可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装
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1000级超净室100级超净袋真空包装 |
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