Ga:ZnO晶体
产品概述:
新一代宽禁带,直接带隙的多功能 II-V 族半导体材料,具有优秀的光电、压电、气敏、压敏等特性
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产品名称

Ga:ZnO晶体基片

技术参数

晶体结构:              

六方晶系

晶格常数:

 a= 3.252 Å ,  c = 5.313 Å        

熔点:

1975℃

硬度:

4 Mohs

密度:

~5.7 g/cm3

带隙:

3.37eV

介电常数8.5

比热容:

0.125 cal/gm

导电性:

N type

导热系数:

0.006 cal/cm/ oK

热膨胀系数:

2.90 x 10-6/oK

位错密度:

< 4 x 104 /cm2

产品规格

常规晶向:              

(0001)

常规尺寸:

5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm        

表面粗糙度:

<5A

注:尺寸可按照客户要求定做。

晶体缺陷

人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。

标准包装

1000级超净室100级超净袋真空包装

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