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GaN晶体
- 产品概述:
- 氮化镓是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,由于具有化学稳定性好、热传导性能优良、击穿电压高、大功率,近年在光电子领域和高温高频电子应用备受关注,是目前最优秀的半导体材料。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
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氮化镓(GaN)晶体基片 |
技术参数
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晶体结构: | 六方晶系 | 晶格常数 | a= 3.186 Å , c = 5.186 Å | 传导类型: | N型掺Si;N型不掺杂 | 可用表面积: | >90% | 位错密度: | (5-9)x105Ω.cm | 电阻率: | R<0.05 Ω.cm;R<0.1Ω.cm | 介电常数: | 8.9 | TTV: | ≤15um | 密度 | 6.15(g/cm3) | 生长方法: | HVPE(氢化物气相外延法) |
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产品规格
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常规晶向: | (0001) | 常规尺寸: |
10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm | 表面粗糙度: | <5Å | 注:尺寸可按照客户要求定做。 |
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晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装
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1000级超净室100级超净袋或单片盒装 |
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