- 加热炉设备
- 晶体及材料
- 破碎/球磨设备
- 压片设备
- 辊压设备
- 切割设备
- 磨抛设备
- 清洗设备
- 电池研发设备
- 薄膜制备
- 配件
- 其它实验室设备
InSb晶体
- 产品概述:
- 在III-V族半导体中,InSb化合物具有最窄禁带宽度、最高电子迁移率、最小有效质量和最大g 因子,是制备高速低功耗电子器件、红外光电子器件及进行自旋电子学研究与拓扑量子计算等前沿物理探索的理想材料。
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。
技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
|
锑化铟(InSb)晶体基片 |
技术参数
|
晶体结构: | 立方晶系 | 晶格常数: | 6.06 Å | 硬度(Mohs): | 3.8 | 密度: | 5.66g/cm3 | 熔点: | 942℃ | 掺杂: | None;Te;Ge | 导电类型: | N型 和 P型 | 载流子浓度: | 1-5x1014 1-2x1015 | 位错密度: | <2x102 cm-2 | 生长方法: | FZ 或 LCE |
|
产品规格
|
常规晶向: | (100)
| 公差: | ±0.5º | 常规尺寸: | dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm | 抛光情况: | 单抛 双抛 | 表面粗糙度: | <15Å | 注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 |
|
晶体缺陷
|
人工金属单晶存在常见晶体缺陷等。 |
标准包装
|
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装。 |
免责声明:
本站产品介绍内容(包括产品图片、产品描述、技术参数等)仅用于宣传用途,仅供参考。由于更新不及时和网站不可预知的BUG可能会造成数据与实物的偏差,请勿复制或者截图。如果您对参数有异议,或者想了解产品详细信息及更多参数,请与本公司销售人员联系。本站提供的信息不构成任何要约或承诺,请勿将此参数用于招标文件或者合同,科晶公司会不定期完善和修改网站任何信息,恕不另行通知,请您谅解。
如果您需要下载产品的电子版技术文档,说明书(在线阅览),装箱单,与售后安装条件等文件,请点击上方的附件下载模块中选取。商城产品仅针对大陆地区客户,购买前请与工作人员沟通,以免给您带来不便。