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MgO:LiNbO3晶片
- 产品概述:
- 纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品名称
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光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片
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产品规格
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晶体结构: | 三方晶系 | 晶格常数: | a=5.147Å c=13.856Å | 密度: | 4.7g/cm3 | 熔点: | 1253℃ | 生长方法: | 提拉法 |
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产品规格:
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常规晶向: | Z cut | 晶向公差: | ±0.5° | 常规尺寸: | 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm5x5x0.5mm | 抛光情况: | 单抛、双抛、细磨 |
注:尺寸及方向可按照客户要求定做。
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晶体缺陷:
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。
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标准包装:
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1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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