超薄Si片
产品概述:
化学符号为Si,主要用途有:制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。
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产品参数

 掺杂物质

 掺B

 掺P

 类型

 P

 N

 电阻率Ω.cm

 10-3 ~ 40

 10-3 ~ 40

 EPD(cm-2 )

 ≤100

 ≤100

 氧含量( /cm3 )

 ≤1.8 x1018

 ≤1.8 x1018

 碳含量( /cm3 )

 ≤5x1016

 ≤5x101

常规尺寸

晶体方向:<111>; <100>; <110> ± 0.5°  或特殊的方向

常规尺寸:dia2"x0.1mm、 dia2"x0.2 mm;

尺寸公差:dia2"直径公差±0.4mm;厚度公差±25um;

表面粗糙度:Ra<10A

同时可提供热氧化SiO2层的Si片;Si+SiO2+Ti+Pt的基!欢迎您的咨询!

备注

1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装

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