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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
技术参数
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晶体结构: | 立方 a =5.4505 Å | 生长方法: | 提拉法 | 密度: | 4.13 g/cm3 | 熔点: | 1480 ℃ | 热膨胀系数: | 5.3 x10-6 | 掺杂物质: | 掺S ;不掺杂 | 热传导率: | 2~8 x1017/cm3 ;4~ 6 x1016/cm3 | 电阻率W.cm: | ~0.03 ;~0.3 | EPD (cm-2 ): | < 3x10E5 ;< 3x10E5 |
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常规尺寸
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常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛; 注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 |
备注
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1000级超净室100级超净袋 |
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