锑化铟(InSb)晶体基片
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技术参数

单晶

 InSb

掺杂

 None;Te;Ge

导电类型

 N;N;P

载流子浓度cm-3

 1-5x1014   1-2x1015        

位错密度cm-2

 <2x102

产品规格

标准尺寸:2"x0.5mm,

 

表面粗糙度Ra:<15A

        

注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装

1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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