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铝酸镁钪(ScMgAlO4)
- 型号:
- ScMgAlO4
- 产品概述:
- ScMgAlO4晶体是最近发展起来的一种GaN和ZnO异质外延用理想的衬底材料,是目前与GaN和ZnO晶格失配最小的新型衬底材料。ScMgAlO4晶体属于六方晶系,晶格常数a=0.3246nm,c=2.5195nm,具有菱形六面体层状结构,与纤锌矿氮化物和氧化锌的结构相似。
ScMgAlO4是一种与GaN和ZnO晶格常数和结构非常匹配的衬底材料(表1)。它与GaN的晶格失配率约为1.8%,与ZnO的晶格失配率仅为0.09%,a轴的热膨胀系数为6.2x10-6/℃,c轴的热膨胀系数为12.2x10-6/℃,与GaN、ZnO外延薄膜之间的热膨胀系数失配比传统的蓝宝石和硅等衬底好的多。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
技术参数
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·晶体结构:六方晶系 ·晶格常数:a=0.3246nm,c=2.5195nm
·生长方法:提拉法
主要衬底材料与GaN及ZnO的晶格失配率:
衬底材料 | ScAIMgO4 (0001) | ZnO (0001) | SiC (0001) | ß-Ga203 (100) | Al203 (0001) | Si (111) | 与GaN失配 | +1.8% | +2.3% | -3.5% | +5% | -13% | +16.9% | 与ZnO失配 | +0.09% | - - | -5.2% | -6.5% | -18.4% | +40.1% |
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产品规格:
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·常规晶向: ·常规尺寸:10x10x0.5mm、5x5x0.5mm
·表面粗糙度:<0.5nm
注:尺寸可按照客户要求定做。
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晶体缺陷
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人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷
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标准包装
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1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
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