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小型提拉法（CZ）单晶生长炉（可用于生长直径<25mm，最高温度2100℃）
- 关键字：
- 生长小于1英寸单晶、最高温度2100℃
- 型号：
- IMCS-2000-CZ
- 产品概述：
- IMCS-2000-CZ是一款小型的提拉法（CZ）晶体生长炉，生长单晶直径＜25mm。此设备最高温度可达2100℃，可用于生长Al2O3,GGG,YAG,LaAlO3,Si,Ge和各种金属单晶等。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
| 电源需求
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输入电压：380VAC，三相 （需要50A空气开关） 感应加热最大输入电流50A 最大输出功率25KW
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| 真空腔体
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真空腔体采用304不锈钢制作 真空腔体尺寸：Φ320×320mm 腔体门上有一石英窗口（Φ120mm）,用于观察材料熔化，种籽晶和长晶过程 一个KF25接口和一个KF40真空接口在腔体后端 LF160接口在腔体右侧，用于连接分子泵系统。 
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| 提拉机构
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提拉机构采用精密伺服电机驱动 提拉速度：0.4-15mm/hr 提拉干旋转速度：0.1-23RPM 移动行程：0-250mm 提拉机构可快速移动35mm/min 可增加上称重模块，用实时测量提拉出样品的质量与电源功率输出配合，提高长晶质量（需要额外增加费用）
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| 真空&气氛
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真空腔体种可抽真空和通入惰性气氛 设备中配有一个数显防腐真空计（传感器上涂油陶瓷涂层），测量范围为10^-5 ~ 1000 torr 真空度：5 x 10-6 torr（采用分子泵系统） 5×10-2torr(采用机械泵） 可在本公司购买各种真空泵   
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| 感应加热
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25KW（30-80KHz）感应电源，带有时间控制器和功率控制器 感应线圈：Φ90mm×80mmH 其他尺寸线圈可定制 设备需要：116L/min的循环水冷机(标配中包含，需要额外付费购买） 
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| 控制面板
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触摸屏控制面板 可控制提拉速度，提拉行程，籽晶杆转速和工作温度
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| 应用注意事项
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|  |  |  |  | 熔化材料 | 籽晶种入到熔液 | 提拉开始 | 生长的氧化铝单晶 | 生长的Ni单晶 |
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| 设备尺寸
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