1100度小型真空/气氛快速升降温RTP炉(载物台:4英寸 升温速度:50度/S)
关键字:
4英寸、最大升温速率50度/秒
型号:
OTF-1200X-4-RTP
产品概述:
这是一款紧凑型快速热处理管式炉,配有4英寸内径的石英管和真空法兰,专为直径3英寸内的半导体晶片或太阳能电池退火而设计。它由短波红外灯管加热,最大加热速率为50ºC/秒。炉内内置30段精度为+/-1ºC的温度控制器,可在不同步骤进行加热、恒温和冷却。包括RS485端口和控制软件,可以在运行的同时通过PC监控温度分布。该炉也可以改装为RTE、CSS或HPCVD炉(具体见下方应用说明)
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
设备名称

1100度小型真空/气氛快速升降温RTP炉--OTF-1200X-4-RTP (2023.5.10--科晶实验室审核)


炉膛结构及特点

·双层钢制外壳,风冷,使炉表面温度低于60

·高纯度纤维状氧化铝绝缘,最大限度地节约能源。

·带联锁保护的分体式盖子,如果盖子在熔炉加热过程中打开,则切断电源。

·超大管径内径φ100mm,外径φ110mm。

·最高温度可达1100℃。

·法兰上安装有滑轨可直接推拉操作。

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工作温度

·最大1100ºC,持续时间<10分钟

·最大1000ºC,持续<20分钟(注意:如果运行时间更长,炉壳将>100ºC,必须使用风扇从外部冷却炉壳)

·最大800ºC,持续时间<120分钟

·连续温度最高600ºC

基本参数

·设备电源:208-240 AC,50/60 Hz单相,最大12KW(单相80A空开)

·法兰:KF-25D型不锈钢高真空法兰            

·加热区长度:190mm                   

·控温精度:+/-1℃(欧陆表型温控仪表可达0.1℃)               

·热电偶:可插入式的铠装热电偶,进口K型热偶, 紧贴在放样品的AlN片下

·最大功率:12KW       

·循环水流量:0.5 m3/h

·标配流量计量程范围:16-160 ml/min

·可选配测量范围为10-4至1000托的数字真空计 

     

更多参数请联系科晶销售部

加热元件

·短波红外灯管


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相关视频

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       操作视频            展示视频

温控系统

包括858温度控制器。

比例-积分-微分控制(PID控制)和自动调谐功能

50个分段,编程有斜坡、冷却和停留步骤

内置超温报警和热电偶故障报警

+/-1ºC温度控制精度

默认DB9 PC通信端口

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石英管和样品架

·石英管尺寸:外径4.33英寸x内径4.05英寸x长度16.2英寸。

包括一个直径为3“的AlN样品支架,用于对直径不超过3”的样品进行退火。AlN具有非常高的热导率,

这在样品区域中提供了最佳的温度均匀性。样品支架可从法兰上拆卸,以便将RTP炉用于其他用途

·可选:3英寸外径厚的石墨基板可作为AIN板的替代品。

·可选:石墨坩埚:外径87 mm x内径71 mm x高度12 mm,带盖,设计用于3“样品架,也可以改装为RTE、CSS或HPCVD炉,带有涂有SiC的石墨坩埚。

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真空法兰

·KF-D25高真空法兰由不锈钢制成,具有双重高温。硅胶O型圈、针阀和水冷套。

·它只需要在温度>600摄氏度的长时间运行中进行水冷。

·循环水流量:0.5 m3/h。

·滑出式法兰提供了一种更简单的方式来装载、卸载样品和其他所需的特定过程。

·插入式热电偶,实现精确测量。


真空泵(可选)

· 型号:VRD-8

· 抽气速率:2.2 L/S

· 电机功率:370 W

· 极限压强:5×10-1Pa(不带负载)

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· 为了得到更高的真空度,可以选购我公司的其他高真空系统


水冷(可选)

· 型号:KJ-5000

· 工作电压:AC 220V 50HZ

· 工作电流:1.4-2.1A,制冷量:2361Btu/h

· 压缩机功率:300W,水箱容量:6L

· 最大流量:16L/min,净重:24 Kg

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真空压力和气体接头

·使用带有KF25适配器的机械真空泵,压力可以达到50以上

·通过带有KF25适配器的分子泵,压力可以达到10-4ttor


尺寸

法兰闭合:1350mm(长)x 330mm(宽)x 590mm(高)

法兰开口:1350mm(长)x 520mm(宽)x 740mm(高)

·炉膛尺寸:Φ180X190


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重量

70Kg


认证

·此产品已通过CE认证

  证书编号: M.2021.206.C67997

·若客户出认证费用,本公司保证单台设备通过德国TUV认证或CAS认证


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保修

一年保修,终身技术支持。

 特别提示:1.耗材部分如加热元件,石英管,样品坩 埚等不包含在内。

          2.因使用腐蚀性气体和 酸性气体造成的损害不在保修范围内。


可选模块

·您可以将RTP炉与高真空站或气体输送系统结合起来,作为真空炉或CVD系统。

·为了实现快速冷却速率(<10ºC/秒),您可以选择带滑轨的RTP炉。

·您可以命令压力控制模块(点击右下方的图片)使腔室保持恒定压力

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科晶实验室对OTF-1200X-4-RTP设备的追温温差和恒温精度做了一系列实验研究,得出以下经验以供参考:


1)升温速率越慢,控温精度越高,升温速率越快,追温温差越大。

升温速率

追温温差

控温精度恒温精度

1℃/s

< 5℃

+-0.5℃

2℃/s

< 10℃

+-1℃

50℃/s

温差较大,但30s内恒温

+-1℃



2)570℃以下降温不可控。

降温速率

可控温度情况(参考)

40℃/min

570℃以上,可控制降温

60℃/min

600℃以上,可控制降温且误差<5℃,600℃-570℃,误差<10℃





实验名称:RTP快速升温炉的升温速度与最终温度间的可调关系

实验目的:1、升温速度能否保持恒定;

2、恒温波动是否小于1℃;

3、实现目的:保持一定的升温速度,待到达恒温温度时,升温速度减缓的温度点越接近恒温温度越好。

适用领域:铁磁性材料的制备

实验结果:

100℃/min,到400℃

斜率基本恒定;冲温<1℃;升速减缓点在398℃

100-400.png

100℃/min,到700℃

斜率基本恒定;冲温<1℃;升速减缓点在698℃

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400℃/min,到400℃

斜率基本恒定;冲温≤1℃;升速减缓点在395℃

400-400.png

400℃/min,到700℃

斜率基本恒定;冲温≤1℃;升速减缓点在395℃

400-700.png

300℃/min,到700℃

斜率基本恒定;冲温≤1℃;升速减缓点在795℃

300-700.png

600℃/min,到700℃

斜率基本恒定;冲温≤2℃;升速减缓点在790℃

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以上数据总结,存在调试差异,具体详情请联系合肥科晶实验室


应用提示

·由于气瓶内部气压较高,所以向炉管内通入气体时,气瓶上必须安装减压阀。

·进入炉管的气体流量需小于200sccm,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击。

·石英管的长时间使用温度为600℃。

·此炉可以增加镀SiC的石墨坩埚改造成RTE(快速热蒸发)炉(可查看下方的图片自己制备RTE)

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·在进行化学气相沉积后,石墨烯可从金属催化剂转移到另一个基片衬底上,此法可被广泛应用制备二维材料。通过CVD法生长的石墨烯,表面平整度高且无残渣。

警示

·当炉体温度高于900℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态。

·炉管内气压不可高于0.02MPa。


相关可选

·样品架可选:3"O.D的石墨衬底替代AlN陶瓷片。(图1)

·可选:将含坩埚盖盖规格为87 O.D×71 I.D×12 H mm的石墨坩埚设计三个坩埚架,则可被改造成一个    RTE,CSS或HPCVD炉,另外石墨坩埚表面涂有SiC涂层。(图2)

·真空系统:用机械泵真空度达 50 mtorr;

 用分子泵真空度可达 10E-4 torr。(图3-5)

·可选购合肥科晶的循环水冷机配套使用。(图6)

·多种供气系统可选。(图7-8)

·可选配其他数字真空计。(图9-11)

·建议在本公司选购减压阀,本公司减压阀量程为0.01MPa-0.1MPa,使用时会更加精确安全。(请点击这

 里学习如何安装减压阀)。(图12)

·可选购压力控制模块来监控并保持工作腔室压力稳定。(图13)

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        图1                    图2                   图3                    图4


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        图5                    图6                   图7                    图8


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       图9                    图10                  图11                   图12


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图13


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